K4B2G0846C-HCH9三星2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒深度解析在个人计算机、服务器、网络通信设备以及各类嵌入式系统中DDR3 SDRAM以其成熟的技术、稳定的性能和广泛的兼容性成为系统设计中重要的存储组件。三星电子Samsung Electronics推出的K4B2G0846C-HCH9作为2Gb DDR3 SDRAM颗粒在78-ball FBGA封装内集成了256M×8的组织结构、1333Mbps数据速率和1.5V标准工作电压为台式机内存模组、服务器及工业嵌入式应用提供了成熟可靠的内存解决方案。K4B2G0846C-HCH9是三星电子Samsung Electronics推出的一款2Gb DDR3 SDRAM第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器属于三星40nm工艺C-die系列。该器件采用78-ball FBGA封装集成了256M×8的组织结构、1333Mbps数据速率DDR3-1333和1.5V标准工作电压为台式机内存、服务器及工业控制等应用提供了高性能、高兼容性的内存解决方案。一、产品定位与概述K4B2G0846C-HCH9隶属于三星DDR3 SDRAM产品线是一款标准的2Gb256MB内存颗粒。该器件是三星40nm工艺时代的代表性产品曾广泛应用于2010-2012年期间的三星原厂内存模组中。产品属性规格说明制造商Samsung三星电子全球领先的存储器半导体制造商产品类别DDR3 SDRAM第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器存储容量2Gb2048Mbit约256MB组织结构256M × 8位256M个地址 × 8位数据宽度数据速率1333MbpsDDR3-1333每引脚1333兆位/秒时钟频率667MHz内部时钟频率CAS延迟9DDR3-1333标准时序9-9-9-24工作电压1.5VJEDEC标准DDR3电压工艺制程40nmC-die40nm工艺版本封装类型FBGA-7878-ball细间距球栅阵列温度范围0°C ~ 85°C商业级工作温度产品状态停产Obsolete已停产多年该器件采用78-ball FBGA封装是DDR3 x8颗粒的标准封装形式。K4B2G0846C-HCH9是三星40nm C-die系列的代表产品在2011年前后被广泛用于三星原厂4GB DDR3-1333台式机内存条中。二、核心技术特性K4B2G0846C-HCH9在数据速率、功耗控制和DDR3架构方面的表现是其核心竞争力。2.1 1333Mbps数据速率DDR3-1333参数规格说明时钟频率667MHz内部时钟频率数据传输速率1333 Mbps每引脚数据速率等效频率1333 MHzDDR双倍数据速率CAS延迟CL9标准时序9-9-9-24带宽×8约1.07 GB/s1333Mb/s × 8bit ÷ 8最大时钟频率667 MHz数据手册规格1333Mbps数据速率是DDR3-1333速度等级的标准配置。对于×8位宽的器件单颗颗粒的理论带宽约为1.07GB/s。该器件支持的最高时钟频率为667MHz。DDR3-1333是该世代的主流速度配置时序规格为9-9-9-24。这意味着CLCAS延迟 9读命令发出到第一个数据输出的时钟周期数约13.5nstRCD 9行激活到列读/写命令的延迟tRP 9行预充电时间tRAS 24行激活到预充电的最小时间2.2 1.5V工作电压电压参数最小值典型值最大值单位工作电压VDD/VDDQ1.4251.51.575V1.5V工作电压是DDR3相比于DDR21.8V的核心改进之一。相比DDR2的1.8V电压DDR3的1.5V在同等频率下可显著降低功耗这对于台式机和服务器等设备具有实际节能意义。VDD和VDDQ均使用1.5V供电与SSTL_15接口标准兼容。该器件的供电电流最大值为210mA。2.3 存储组织256M × 8K4B2G0846C-HCH9采用256M × 8的组织结构256M地址深度每个颗粒包含268,435,456个存储地址×8数据宽度每个地址对应8位并行数据输出8 Banks内部具有8个独立存储体支持交错操作这种×8的组织方式是DDR3内存的标准配置在台式机内存条中通常由8颗这样的颗粒组成8位的64位数据总线宽度。2.4 DDR3核心架构特性K4B2G0846C-HCH9支持完整的DDR3标准功能集特性规格说明Bank数量8 Banks相比DDR2的4 Bank翻倍支持更高并发预取架构8n预取DDR3核心预取技术内部数据吞吐量提升差分时钟CK, CK#提高时钟信号抗干扰能力差分数据选通双向DQS/DQS#源同步接口支持读写校准DLL电路集成对齐DQ和DQS与CK的转换边沿Posted CAS支持支持附加延迟Additive Latency突发长度8BL8/ 4BC4突发截断模式可选ODT片上端接支持多级端接选项简化PCB设计ZQ校准支持内部自校准优化信号完整性异步复位支持快速复位功能自动预充电支持自动行关闭提高效率数据掩码支持字节粒度写入控制MRS编程地址键控制配置CAS延迟、突发长度等参数刷新周期8192周期/64ms7.8μs刷新间隔8n预取架构是DDR3相比DDR2的核心技术改进。DDR2采用4n预取DDR3将预取位宽提升至8n使得在相同内部核心频率下I/O接口的数据速率再次翻倍。8 Banks设计是该器件的关键特性之一。相比DDR2的4 Banks8个Bank可同时交错操作显著提高了数据吞吐量降低了Bank冲突导致的访问延迟。ZQ校准功能通过外部240Ω ±1%精密电阻对输出驱动和ODT进行校准补偿电压和温度变化对信号质量的影响。2.5 温度规格K4B2G0846C-HCH9支持商业级温度范围。温度参数规格说明工作温度TCASE0°C ~ 85°C商业级温度范围存储温度-55°C ~ 100°C非工作状态温度等级OTHER商业级JEDEC分类85°C的最高工作温度是该器件的标准商业级规格。对于需要更宽温度范围如-40°C的应用三星提供工业级版本的DDR3颗粒。三、封装规格与引脚说明K4B2G0846C-HCH9采用78-ball FBGA封装Fine-pitch Ball Grid Array。封装参数规格说明封装类型FBGA-78细间距球栅阵列封装尺寸约11.0mm × 7.5mm标准DDR3 x8尺寸球间距0.8mm标准间距端子形式BALL焊球表面贴装端子表面处理Sn/Ag/Cu锡/银/铜环保无铅引脚数量78标准x8引脚数JESD-30代码R-PBGA-B78标准封装代码FBGA封装的特点与优势信号路径短焊球直接连接至PCB焊盘减小信号延迟和电感效应散热性能好通过底部焊球和PCB铜皮散热适合高密度布线0.8mm球间距支持多层PCB设计低封装高度适合紧凑型设备3.1 引脚功能概述78-ball FBGA封装的信号引脚分类如下标准DDR3 x8引脚排列引脚类型主要功能说明数据引脚DQ0-DQ78位数据总线数据选通DQS, DQS#差分数据选通地址引脚A0-A14行/列地址复用输入Bank地址BA0-BA2Bank选择8个Bank时钟CK, CK#差分时钟输入时钟使能CKE时钟使能片选CS#芯片选择行地址选通RAS#—列地址选通CAS#—写使能WE#—数据掩码DM写数据掩码ZQZQ外部校准电阻接口复位RESET#异步复位电源/地VDD, VDDQ, VSS, VREF多组电源和地该器件采用78-ball FBGA封装球阵列为行列交叉排列引脚功能遵循JEDEC标准DDR3 x8规范。四、型号命名规则解读K4B2G0846C-HCH9的命名规则揭示了该型号的完整规格信息字段含义说明K三星内存标识三星标准前缀4DRAM颗粒表示DRAM产品BDDR3DRAM类型B代表DDR32G密度2Gb2048Mbit08组织结构x88位数据总线4Bank数量4代表8 Banks6电压1.5VCDie版本/工艺C代表40nm工艺-HCH9封装/速度/温度完整后缀说明见下表“C”后缀的含义代表Die版本Die Revision同时也指示了该颗粒采用40nm工艺制程。这是三星DDR3颗粒迭代中的关键特征——B代表50nmC代表40nmD则代表30nm。“HCH9”后缀解析字符位置字符含义第一位H封装类型FBGA第二位C电压等级1.5VY1.35V第三四位H9速度等级1333Mbps / CL9速度等级对应关系速度代码数据速率CAS延迟适用场景H91333MbpsCL9标准DDR3-1333K01600MbpsCL11高速DDR3-1600K41600MbpsCL10高速DDR3-1600五、实际应用与兼容性K4B2G0846C-HCH9曾广泛应用于2010-2012年期间的计算机内存模组中。5.1 内存模组应用该颗粒被多家内存模组厂商采用用于制造DDR3-1333内存条模组厂商模组型号容量颗粒配置SamsungM391B5273CH0-CH94GBK4B2G0846C-HCH9 x8SamsungM378B5273CH0-CH94GBK4B2G0846C-HCH9 x8ATPAL12M72B8BKH9S4GBK4B2G0846C-HCH9TranscendTS512MLK64V3NL4GBK4B2G0846C-HCH9在台式机内存条中通常使用8颗K4B2G0846C-HCH9颗粒组成4GB容量8 × 256MB 2048MB。由于该颗粒是x8位宽的8颗正好构成64位的数据总线宽度与处理器内存控制器匹配。5.2 平台兼容性K4B2G0846C-HCH9已通过多款主流主板厂商的兼容性验证主板厂商验证状态说明MSI已验证多款DDR3主板兼容Supermicro已验证服务器主板兼容TYAN已验证服务器主板兼容该颗粒的DDR3-1333速度等级与Intel酷睿2/酷睿i系列、AMD Phenom II等平台的DDR3内存控制器兼容。六、质量与可靠性6.1 产品状态参数信息制造商Samsung三星电子产品状态停产Obsolete生命周期代码ObsoleteRoHS合规是ROHS3 Compliant无铅代码YesREACH合规compliantECCN分类EAR99HTS代码8542.32.00.36产品状态警告K4B2G0846C-HCH9已被三星标记为“Obsolete”停产/过期状态。这意味着原厂已停止生产市场上的库存为尾货或库存品。八、应用场景分析基于2Gb容量、1333Mbps速度和商业级温度范围的组合K4B2G0846C-HCH9适用于以下应用场景8.1 台式机与服务器内存核心应用应用功能描述关键特性匹配台式机内存条系统主内存4GB/8GB模组256M×8组织 1333Mbps入门级服务器RDIMM/UDIMM内存兼容性验证工作站系统内存扩展8 Banks高并发该颗粒最典型的应用场景是DDR3-1333台式机内存条8颗颗粒组成4GB容量、64位总线宽度的标准内存模组。8.2 工业嵌入式系统应用功能描述关键特性匹配工业控制计算机板载DDR3内存FBGA封装直接贴装嵌入式主板系统内存0°C~85°C商业级温度HMI人机界面显示缓冲成熟可靠性8.3 网络通信设备应用功能描述关键特性匹配企业级路由器包缓冲区1333Mbps高速访问交换机数据包缓存低功耗特性网络安全设备数据缓冲8 Banks高吞吐量8.4 消费电子应用功能描述关键特性匹配智能电视系统内存2Gb容量机顶盒解码缓冲成熟稳定游戏机辅助存储8位总线直连K4B2G0846C-HCH9 | Samsung | 三星 | DDR3 SDRAM | 2Gb | 256M×8 | 1333Mbps | DDR3-1333 | FBGA-78 | 1.5V | 256MB | 0°C~85°C | 40nm | C-die | 8 Banks | 8n预取 | ODT | ZQ校准 | 台式机内存 | 服务器内存 | 嵌入式系统 | 内存颗粒Email: carrotaunytorchips.com